【烧了1550亿,终于收获成果!】日媒:中国
芯片巨头取得技术突破!在中国正积极推动
半导体自给自足之际,中国最大快闪存储器制造商长江存储终于传出一个振奋人心的好消息。据《日经亚洲评论》1月12日报道,长江存储最快今年中就有机会试产第一批192层3DNAND闪存
芯片,但为了确保品质,这项试产计划也可能会推迟到今年下半才实行。目前,三星下一代技术研发的目标是172层3DNAND,美光则开发176层。这就意味着长江存储接近量产的192层3DNAND,在技术定义上确实比三星、美光更先进。长江存储这次突破192层3DNAND技术,对中国的
半导体自主化有非常重要的意义。首先,需要了解什么是3DNAND。通俗地说,3DNAND是相对“平面化”而言的。在平面化的要求下,想要实现性能提升,意思就是要在硅片平面上刻出更细微的电路,但细微化是有技术门槛,也有技术天花板的,因此便催生了3DNAND
芯片技术的应用。3DNAND
芯片的制程要求可以缩小一倍以上,比如10纳米才可以达到的性能,运用3DNAND后,20纳米甚至30纳米就可以做到。如果这项技术用得好的话,或许就能摆脱美国对中国
半导体的技术钳制,比如3DNAND使用国产的深紫外
光刻机就能做到,因此不用再求着荷兰ASML公司卖给中国极紫外线
光刻机了。虽然3DNAND技术现在通常只用在存储
芯片领域,但电脑和智能手机的核心
芯片在理论上也是可以使用的。长江存储的技术突破是打破外国技术垄断的一场胜利,对于中国
半导体自主化进程而言更是一个莫大的鼓舞。
【烧了1550亿,终于收获成果!】
日媒:中国
芯片巨头取得技术突破!
在中国正积极推动
半导体自给自足之际,中国最大快闪存储器制造商长江存储终于传出一个振奋人心的好消息。
据《日经亚洲评论》1月12日报道,长江存储最快今年中就有机会试产第一批192层3DNAND闪存
芯片,但为了确保品质,这项试产计划也可能会推迟到今年下半才实行。
目前,三星下一代技术研发的目标是172层3DNAND,美光则开发176层。这就意味着长江存储接近量产的192层3DNAND,在技术定义上确实比三星、美光更先进。
长江存储这次突破192层3DNAND技术,对中国的
半导体自主化有非常重要的意义。
首先,需要了解什么是3DNAND。
通俗地说,3DNAND是相对“平面化”而言的。
在平面化的要求下,想要实现性能提升,意思就是要在硅片平面上刻出更细微的电路,但细微化是有技术门槛,也有技术天花板的,因此便催生了3DNAND
芯片技术的应用。
3DNAND
芯片的制程要求可以缩小一倍以上,比如10纳米才可以达到的性能,运用3DNAND后,20纳米甚至30纳米就可以做到。
如果这项技术用得好的话,或许就能摆脱美国对中国
半导体的技术钳制,比如3DNAND使用国产的深紫外
光刻机就能做到,因此不用再求着荷兰ASML公司卖给中国极紫外线
光刻机了。
虽然3D NAND技术现在通常只用在存储
芯片领域,但电脑和智能手机的核心
芯片在理论上也是可以使用的。
长江存储的技术突破是打破外国技术垄断的一场胜利,对于中国
半导体自主化进程而言更是一个莫大的鼓舞。